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FIR7N60BPG	文件：4.33249 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：4.33249 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	FOSTER 福斯特半導體	FOSTER
FIR7N60BPG(I版)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高壓功率MOS	First 福斯特	First
FIR7N60FG	文件：5.2866 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：5.2866 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	FOSTER 福斯特半導體	FOSTER
FMF7N60	文件：2.65127 Mbytes Page：7 Pages	7A 600V N CHANNEL ISOLATED POWER MOSFET 文件：2.65127 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	FCI 富加宜	FCI
FQA7N60	文件：581.25 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：581.25 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD

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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	FIR7N60FG	FIRST/福斯特	2022+	TO-220F	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應,絕對原裝假一罰十	詢價
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