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FIR5N60BPG	文件：2.94538 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：2.94538 Mbytes 頁數：9 Pages	FOSTER 福斯特半導體	FOSTER
FIR5N60BPG(T)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高壓功率MOS	First 福斯特	First
FIR5N60FG	文件：5.90371 Mbytes Page：9 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET 文件：5.90371 Mbytes 頁數：9 Pages	FOSTER 福斯特半導體	FOSTER
FQB5N60	文件：553.99 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：553.99 Kbytes 頁數：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FQB5N60C	文件：621.43 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：621.43 Kbytes 頁數：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD

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