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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FGPF4565	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，650 V，場(chǎng)截止溝槽通過利用創(chuàng)新場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù)，F(xiàn)airchild 的新系列場(chǎng)截止槽 IGBT 提供了 IPL（強(qiáng)度脈沖光）的最優(yōu)性能。 ?高電流能力\n?低飽和電壓： VCE(sat) =1.5 V（典型值）（IC = 30 A）\n?高輸入阻抗\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FGPF4565	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT TRENCH/FS 650V TO220F	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
GP4565	文件：392.07 Kbytes Page：7 Pages	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：392.07 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	GTM 勤益投資控股	GTM
GSS4565	文件：559.08 Kbytes Page：7 Pages	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：559.08 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	GTM 勤益投資控股	GTM
LM4565F	文件：379.9 Kbytes Page：20 Pages	Low Noise Operational Amplifier 文件：379.9 Kbytes 頁數(shù)：20 Pages	ROHM 羅姆	ROHM

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更多FGPF4565供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 22:59:00