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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FGP30N6S2	文件：177.95 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT General Description The FGH30N6S2, FGP30N6S2, and FGB30N6S2 are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduc 文件：177.95 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FGP30N6S2	文件：179.31 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT General Description The FGH30N6S2, FGP30N6S2, and FGB30N6S2 are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduc 文件：179.31 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FGP30N6S2	文件：259.31 Kbytes Page：11 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT 文件：259.31 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FGP30N6S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 45A 167W TO220AB	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FGP30N6S2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 45A 167W TO220AB	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FGP30N6S2D	文件：281.66 Kbytes Page：12 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode General Description The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：281.66 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FGP30N6S2D	文件：287.27 Kbytes Page：12 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode General Description The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：287.27 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FGP30N6S2D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 45A 167W TO220AB	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
FGP30N6S2
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，12A
開關(guān)能量：
55μJ（開），100μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
6ns/40ns
測(cè)試條件：
390V，12A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 45A 167W TO220AB

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市龍瀚電子有限公司	FGP30N6S2	FSC	0602+	TO-220	8925	優(yōu)勢(shì)庫存L歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGP30N6S2	onsemi	25+	TO-220-3	11580	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FGP30N6S2	FAIRCHILD	05+	原廠原裝	5629	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FGP30N6S2	FAIRCHIL	24+	TO-220	8866		詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FGP30N6S2	FAIRCHILD/仙童	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	FGP30N6S2	FSC	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FGP30N6S2	Fairchild/ON	22+	TO220AB	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FGP30N6S2	ON / FAIRCHILD	1932+	TO-220	290	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	FGP30N6S2	ON Semiconductor	2022+	TO-220-3	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多FGP30N6S2供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 10:18:00

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