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    FGP10N60UNDF

    IGBT,600V,10A,短路額定

    飛兆半導體的 NPT IGBT 產品采用先進的 NPT IGBT 技術,為低損耗和短路耐用性極為重要的低功率逆變器驅動應用(如,縫紉機、CNC、電機控制和家用電器)提供最佳性能。 ?短路承受額定 10us\n?高電流能力\n?高輸入阻抗\n?快速開關\n?符合RoHS標準;

    ONSEMI

    安森美半導體

    FGP10N60UNDF

    600V, 10A Short Circuit Rated IGBT

    General Description Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild’s the NPT IGBTs offer the optimum performance for low-power inverterdriven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential, such as sewing machine, CNC, motor control and home appliances. Features

    文件:819.57 Kbytes 頁數:9 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導體

    FGP10N60UNDF

    Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT NPT 600V 20A TO220-3

    ONSEMI

    安森美半導體

    FGPF10N60UNDF

    600V, 10A Short Circuit Rated IGBT

    文件:826.35 Kbytes 頁數:9 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導體

    FIR10N60AFG

    600V N-Channel MOSFET

    文件:2.09687 Mbytes 頁數:8 Pages

    FOSTER

    福斯特半導體

    FIR10N60FG

    Advanced N-Ch Power MOSFET-G

    文件:3.06259 Mbytes 頁數:7 Pages

    FOSTER

    福斯特半導體

    產品屬性

    • 產品編號:

      FGP10N60UNDF

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • IGBT 類型:

      NPT

    • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

      2.45V @ 15V,10A

    • 開關能量:

      150μJ(開),50μJ(關)

    • 輸入類型:

      標準

    • 25°C 時 Td(開/關)值:

      8ns/52.2ns

    • 測試條件:

      400V,10A,10 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3

    • 供應商器件封裝:

      TO-220-3

    • 描述:

      IGBT NPT 600V 20A TO220-3

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    onsemi(安森美)
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    進口原裝正品優(yōu)勢供應
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    Fairchild
    22+
    NA
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    詢價
    Fairchild/ON
    22+
    TO2203
    9000
    原廠渠道,現貨配單
    詢價
    ON
    10+
    TO-22-3
    100
    一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
    詢價
    更多FGP10N60UNDF供應商 更新時間2026-1-22 9:29:00

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