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FGF65A4H	文件：730.49 Kbytes Page：15 Pages	VCE = 650 V, IC = 40 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode Description The KGF65A4H, MGF65A4H, and FGF65A4H are 650 V Field Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the efficiency of your circuit. Features ● Lo 文件：730.49 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN
FGF65A4H	文件：769.1 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：769.1 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN
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FGF65A4H	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT(內(nèi)置FRD) FGF65A4H是650V Field Stop型Trench型IGBT。獨(dú)特的垂直溝道構(gòu)造減小了寄生容量。高速開關(guān)、可以實現(xiàn)開關(guān)損耗的降低。IGBT的低損耗有助于系統(tǒng)的高效率。 ?低飽和電壓?高速開關(guān)?FRD內(nèi)置?RoHS對應(yīng);	Sanken 三墾	Sanken

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更多FGF65A4H供應(yīng)商更新時間2026-1-21 15:41:00