Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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SANKEN

三墾

VCE = 650 V, IC = 15 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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SANKEN

三墾

IGBT(內(nèi)置FRD)

FGF65A3L是650V Field Stop型的垂直溝道工藝的IGBT。\n采用了獨(dú)特的垂直構(gòu)造減少了寄生容量，既實(shí)現(xiàn)低飽和壓降，又減少了開關(guān)損耗。\nIGBT的低損耗可以實(shí)現(xiàn)整機(jī)設(shè)備的高效率。 ?低飽和電壓\n?高速開關(guān)\n?內(nèi)置FRD\n?符合RoHS指令;

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三墾

IGBT(FRD內(nèi)置)

IGBT(內(nèi)置FRD)FGF65A3L6L是650V 、15A Field Stop型的垂直溝道工藝的IGBT。\n采用了獨(dú)特的垂直構(gòu)造減少了寄生容量，既實(shí)現(xiàn)低飽和壓降，又減少了開關(guān)損耗。\nIGBT的低損耗可以實(shí)現(xiàn)整機(jī)設(shè)備的高效率。 ?低飽和電壓\n?高速開關(guān)\n?內(nèi)置FRD\n?符合RoHS指令;

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