絲?。?strong>FFSD10120A；Package：DPAK-3L；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil

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安森美半導體

Silicon Carbide Schottky Diode

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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil

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碳化硅肖特基二極管

碳化硅肖特基二極管使用全新技術，相比硅材，可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。 無反向恢復電流、隨溫度變化的開關特性，以及出色的熱性能使碳化硅成為新一代功率半導體。 系統(tǒng)優(yōu)勢包括效率最高、運行頻率更快、功率密度增加、電磁干擾減少、以及系統(tǒng)大小和成本降低。 ?最大結(jié)溫 175 °C\n?雪崩額定值 100 mJ\n?高浪涌電流能力\n?正溫度系數(shù)\n?易于并聯(lián)\n?無反向恢復/無正向恢復;

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Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252

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