60.0 Ampere,300 Volt Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode

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THINKISEMI

思祁半導(dǎo)體

包裝：散裝 類別：風(fēng)扇，熱管理 風(fēng)扇 - 護(hù)手板，濾波器和套管 描述：FAN FILTER ASSEMBLY 60MM

ebm-papst Inc.

IGBT模塊

PrimePACK? 2 1200 V, 600 A 半橋雙 IGBT 模塊，采用第四代 TRENCHSTOP? IGBT、 NTC溫度檢測(cè)和快速開關(guān)芯片。它也適用于熱界面材料。 ? 提高工作溫度Tvj op\n? 高直流電壓穩(wěn)定性\n? 高短路能力，自限制短路電流\n? 低開關(guān)損耗\n? 出色的堅(jiān)固性\n? 具有正溫度系數(shù)特性的VCEsat\n? 4 kV 交流 1 分鐘絕緣\n? 封裝的 CTI > 400\n? 高爬電距離和電氣間隙\n? 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力\n? 低熱阻襯底\n? UL 認(rèn)證\n\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 高功率密度\n? 標(biāo)準(zhǔn)封裝;

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IGBT模塊

PrimePACK? 2 1200 V，600 A 半橋雙 IGBT 模塊專為 CAV 應(yīng)用開發(fā)。包括第四代 TRENCHSTOP? IGBT、第四代發(fā)射機(jī)控制二極管、溫度檢測(cè) NTC 和快速開關(guān)芯片。它也適用于熱界面材料 。 ? 振動(dòng)魯棒性高達(dá) 15 g\n? 提高工作溫度 Tvj op\n? 高直流電壓穩(wěn)定性\n? 高短路能力，自限制短路電流\n? 低開關(guān)損耗\n? VCEsat 帶正溫度系數(shù)\n? 4 kV交流 1 分鐘絕緣\n? 封裝的 CTI > 400\n? 高爬電距離和電氣間隙\n? 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力\n? 低熱阻襯底\n? UL 認(rèn)證\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提高負(fù)載循環(huán)能力\n? 在危險(xiǎn)條件下仍堅(jiān)固耐用\n? 高抗振動(dòng)性和高抗沖擊性\n? 電氣驅(qū)動(dòng)優(yōu)于液壓系統(tǒng);

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650 V、600 A 雙 IGBT 模塊

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Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 650V 700A 1800W

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Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：MEDIUM POWER ECONO

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