62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET

Electrical Features ? High current density ? Low switching losses Potential Applications ? High Frequency Switching application ? DC/DC converter ? Solar applications ? UPS systems

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1200 V CoolSiC? MOSFET雙管模塊

\n優(yōu)勢(shì):\n? 由于開關(guān)損耗極低，可最大限度減少冷卻工作量\n? 高開關(guān)頻率的模塊，適用于較少的磁性元件系統(tǒng)，從而顯著減小系統(tǒng)體積和外形尺寸\n? 基于上述模塊帶來的諸多好處，可以降低系統(tǒng)成本;

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62 mm C-Series module with CoolSiC? Trench MOSFET

Features ? Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 420 A / IDRM = 840 A - High current density - Low switching losses ? Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation

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62 mm C-Series module with CoolSiC? Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

Features ? Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 420 A / IDRM = 840 A - High current density - Low switching losses ? Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - Pre-applied thermal interface material

文件：734.3 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages

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62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET und bereits aufgetragenem Thermal Interface meterial

Mechanical Features ? Pre-applied Thermal Interface Material Electrical Features ? High current density ? Lows witching losses Potential Applications ? High Frequency Switching application ? DC/DC converter ? Solar applications ? UPS systems

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CoolSiC ? MOSFET半橋模塊 1200 V

62 毫米 CoolSiC ? MOSFET 半橋模塊 1200 V、2.1 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外殼，結(jié)合 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)先應(yīng)用的熱界面材料 (TIM)。 ? 高電流密度\n? 低開關(guān)損耗\n? 卓越的柵極氧化層可靠性\n? 最高的抗?jié)裥診n? 堅(jiān)固的集成體二極管\n? 高宇宙射線抗性\n? 高速開關(guān)模塊\n? 對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)\n? 標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)造技術(shù);

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1200 V CoolSiC? MOSFET雙管模塊

\n優(yōu)勢(shì):\n? 由于開關(guān)損耗極低，可最大限度減少冷卻工作量\n? 高開關(guān)頻率，可以使用更少的磁性元件。因此可以減小體積和外形尺寸\n? 由于模塊帶來的諸多好處，可以降低系統(tǒng)成本;

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Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：MEDIUM POWER 62MM

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Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：MEDIUM POWER 62MM

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