Digital FET, P-Channel

General Description This P-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially f

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel Enhancement MOSFET

■ Features ● VDS(V)=-30V ● ID=-4.2A(VGS=-10V) ● RDS(ON)

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UMW

友臺半導(dǎo)體

P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)

文件：1.63437 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

EVVOSEMI

翊歐

Digital FET, P-Channel

文件：63.91 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件：1.039829 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

P 溝道，數(shù)字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω

此P溝道增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅(qū)動條件下的通態(tài)電阻而定制。 該器件特別為電池供電應(yīng)用設(shè)計，例如筆記本電腦和手機。 該器件即使在柵極驅(qū)動電壓低至2.5V時仍具有出色的通態(tài)電阻。 ?-25V、-0.46A（連續(xù)值）、-1.5A（峰值） RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。\n?柵極驅(qū)動電平要求極低，從而可在3V電路中直接運行。 VGS(th) < 1.5V。\n?柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。\n?緊湊的工業(yè)標準SOT-23表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel MOSFET

XW

芯微半導(dǎo)體

包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET P-CHANNEL

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體