絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/303/marking.html">303；Package：SOT-23；N-Channel 25 V (D-S) MOSFET

Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) 6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. VDS (V) = 25V ID= 2A RDS(ON)

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UMW

友臺(tái)半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/303/marking.html">303；Package：SOT-23；N-Channel 25 V (D-S) MOSFET

General Description This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NMH cells. It can be used as an inverter or for high

文件：294.27 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

EVVOSEMI

翊歐

Digital FET, N-Channel

文件：65.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET

文件：1.26673 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

KEXIN

科信電子

N-Channel MOSFET

文件：1.2713 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

KEXIN

科信電子

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件：1.88304 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N 溝道，數(shù)字 FET，25V，0.68A，0.45Ω

這些N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種高密度工藝專(zhuān)為最大限度地降低低柵極驅(qū)動(dòng)條件下的通態(tài)電阻而定制。 該器件特別為使用一個(gè)鋰或三個(gè)鎘或NMH電池的電池電路應(yīng)用設(shè)計(jì)。 該器件可作為一個(gè)轉(zhuǎn)換器使用，或在緊湊型便攜電子設(shè)備，例如無(wú)線電話和傳呼器的高效微型分立DC/DC轉(zhuǎn)換中使用。 該器件即使在柵極驅(qū)動(dòng)電壓低至2.5V時(shí)仍具有出色的通態(tài)電阻。 ? ? 25 V，0.68 A 連續(xù)電流，2 A 峰值。 \n? RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V\n? RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V? 柵極驅(qū)動(dòng)電平要求極低，從而可在 3 V 電路中直接運(yùn)行。 VGS(th) < 1.0 V。? 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。? 緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT-23 表面貼裝封裝。? TN0200T 和 TN0201T 的備選方案。\n? Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

NJS

場(chǎng)效應(yīng)管

HXY MOSFET

華軒陽(yáng)電子