Digital FET, P-Channel

General Description This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲印：.39K；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Product Summary ? Voss= 20V, Ip=-07A + Ros(on) [email protected] Max) [email protected] (Max) 950mQ @-1.8V(TYP)

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TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

數(shù)字 FET，P 溝道，-25V，-0.12A，10Ω

這些P溝道邏輯級(jí)增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用了飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度、DMOS技術(shù)。 這種密度非常高的工藝是專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，以替代數(shù)字晶體管。 由于不需要偏置電阻，該P(yáng)溝道FET能替代一些具有不同偏置電阻的數(shù)字晶體管，如DTCx和DCDx系列。 ?-25V、-0.12A（連續(xù)值）、-0.5A（峰值） RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V、RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V。\n?柵極驅(qū)動(dòng)電平要求極低，從而可在3V電路中直接運(yùn)行。 VGS(th) < 1.5V。\n?柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。\n?緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23表面貼裝封裝。\n?用一個(gè)DMOS FET替代多個(gè)PNP數(shù)字晶體管（DTCx和DCDx）。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

FDY302NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET

文件：218.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ? Vos=20Vb=08A Roson=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Roson = 300m0@ Ves=2.5V (typ) * ESD Protection

文件：915.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)

文件：24.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

RECTRON

麗正國(guó)際