P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features ? –5.5 A,

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FAIRCHILD

仙童半導體

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

P-Channel 35 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導體

P 溝道，2.5V 指定，PowerTrench? MOSFET，-20V，-5.5A，50mΩ

此N溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大程度地降低通態(tài)電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。 -5.5 A，-20 V。 RDS(on) = 0.050 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V\n 低柵極電荷（典型值13 nC）\n 高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n 高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導體