Dual P-Channel PowerTrench? MOSFET

General Description These P-channel logic level specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench? process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance Features ● Max r

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?strong>FDS9958；Package：SO-8；Dual P-Channel PowerTrench? MOSFET -60V, -2.9A, 105m廓

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

-60V雙P溝道PowerTrench? MOSFET

這些P溝道邏輯電平額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大程度地降低通態(tài)電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的。此類器件非常適合便攜式電子應(yīng)用： 負(fù)載開關(guān)和電源管理、電池充電和保護(hù)電路。 ?VGS = -10V，ID = -2.9A時(shí)，最大rDS(on) = 105 mΩ\n?最大rDS(on) =135mΩ （VGS = -4.5V, ID = -2.5A）\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Dual P-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

雙 P 溝道，Power Trench? MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ

這些 P-溝道邏輯電平 MOSFET 采用飛兆先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最小化通態(tài)電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的 此類器件非常適合便攜式電子應(yīng)用： 負(fù)載開關(guān)和電源管理、電池充電和保護(hù)電路。 ?最大值 rDS(on) = 105 m?（VGS = -10 V、ID = -2.9 A）\n?最大值 rDS(on) = 135 m?（VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A）\n?符合 AEC Q101\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體