雙 N 和 P 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管

這些雙通道N溝道和P溝道增強(qiáng)模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦功率管理和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要快速開關(guān)、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力。 ? N溝道5.5 A，30 V\n?RDS(ON)=0.030 Ω @ VGS=4.5 V\n?高密度設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?表面貼裝封裝中的雙（N和P溝道）MOSFET ;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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KEXIN

科信電子

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These dual N- and P -Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching perf

文件：354.56 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Power stage 2 x 10 or 1 x 20 W class-D audio amplifie

文件：210.36 Kbytes 頁數(shù)：23 Pages

PHI

PHI