Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 2.7 A, 105 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel Enhancement MOSFET

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KEXIN

科信電子

雙 N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，2.7A，105mΩ

本 N 溝道 MOSFET 采用 Fairchild 先進的 PowerTrench? 工藝制造，該工藝專為實現(xiàn) rDS(on)、開關性能和堅固性而進行了優(yōu)化。 ?屏蔽柵極 MOSFET 技術\n?最大 rDS(on) = 105 mΩ（VGS= 10 V、ID = 2.7 A）\n?最大 rDS(on) = 171 mΩ（VGS = 6 V、ID = 2.1 A）\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fds89161lz/marking.html">FDS89161LZ；Package：SO-8；Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 100 V, 2.7 A, 105 mΩ

Features Shielded Gate MOSFET Technology Max rDS(on) = 105 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2.7 A Max rDS(on) = 160 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power and current handling capability in a widely used surface mount package CDM ESD

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ONSEMI

安森美半導體

Max rDS(on) = 105 m廓 at VGS = 10 V, ID = 2.7 A

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FAIRCHILD

仙童半導體

雙 N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，2.7A，105mΩ

本 N 溝道邏輯電平 MOSFET 采用飛兆先進的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝是專為最大限度地降低導通阻抗并保持卓越開關性能而特別定制的。 旨在為增強ESD電壓電平而增加了G-S齊納管。 ?屏蔽柵極 MOSFET 技術\n?最大值 rDS(on) = 105 m? (VGS = 10 V, ID = 2.7 A)\n?最大值 rDS(on) = 160 m? (VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A)\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?CDM ESD 保護等級為：典型值>2 KV（注釋 4）\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體