N-Channel Power Trench? MOSFET 100 V, 3.4 A, 105 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，100V，3.4A，105mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為實現(xiàn)rDS(on)、開關(guān)性能以及堅固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 3.4 A時，最大rDS(on) = 105 mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 2.7 A時，rDS(on) = 171 mO（最大值）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?在廣泛使用的表面貼裝封裝中可實現(xiàn)高功率和高電流處理能力\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Application LED Backlighting Synchronous Rectifiers for SMPS o Power management ? PWM Application

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TECHPUBLIC

臺舟電子

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm

文件：360.14 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體