40V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description These N-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features ? 7.6 A, 40V RDS(on) = 29mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 36m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲印：FDS8449；Package：SO-8；N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 7.6A, 29m廓

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

40V N 溝道 PowerTrench? MOSFET 7.6A，29mΩ

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?7.6 A，40V\n?RDS(on) = 29mΩ @ VGS = 10V\n?RDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V\n?高功率處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V，7.6A，29mΩ

這些 N 溝道 MOSFET 采用飛兆進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?7.6 A、40 V RDS(on) = 29 m? (VGS = 10 V)\n?7.6 A, 40V RDS(on) = 36m? @ VGS = 4.5V\n? Typical Qg(TOT) = 7.7 nC at VGS = 5 V, ID = 7.6 A\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體