雙 N 溝道，PowerTrench? SyncFET?，30V，7.5A，22mΩ

FDS6990AS設(shè)計用于替代同步DC:DC電源中的一個雙SO-8 MOSFET和兩個肖特基二極管。 此30V MOSFET設(shè)計用于最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換效率，提供低RDS(ON)和低柵極電荷。 每個MOSFET都包含使用飛兆半導(dǎo)體單片SyncFET技術(shù)的集成肖特基二極管。 FDS6990AS在同步整流器中作為低端開關(guān)的性能與FDS6990A并聯(lián)一個肖特基二極管的性能相似。 ?7.5 A，30 V。 RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 4.5V\n?包含SyncFET肖特基體二極管\n?低柵極電荷（10nC典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

The FDS6990S is designed to replace a dual SO-8 MOSFET and two Schottky diodes in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. Each MOSFET includes integrated Schottky diodes using Fairchild’s mono

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