Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well su

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 P 溝道，2.5V 指定，PowerTrench? MOSFET，-20V，-6A，30mΩ

這些P溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 此類器件非常適合便攜式電子應(yīng)用： 負(fù)載開關(guān)和電源管理、電池充電和保護電路。 ?-6 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = -2.5 V.\n?低柵極電荷（典型值23 nC）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= -30V, ID= -5 A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.05729 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體