單 N 溝道，邏輯電平，Power Trench? MOSFET，30V，11A，12.5mΩ

該N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?11 A，30 V\n?RDS(ON) = 12.5 mΩ @ VGS = 10 V\n?RDS(ON) = 17.0 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? SyncFET?，30V，10A，12mΩ

FDS6690AS設(shè)計(jì)用于替代同步DC:DC電源中的一個(gè)單SO-8 MOSFET和肖特基二極管。 此30V MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換效率，提供低RDS(ON)和低柵極電荷。 FDS6690AS包含使用飛兆半導(dǎo)體單片SyncFET技術(shù)的集成肖特基二極管。 FDS6690AS在同步整流器中作為低端開關(guān)的性能與FDS6690A并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管的性能相似。 ?10A，30V\n?RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10V\n?RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 4.5V\n?包含SyncFET肖特基體二極管\n?低柵極電荷（典型值16 nC）。\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體