P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，-11A，13mΩ

此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件非常適合筆記本電腦和便攜電池組中的電源管理和負載開關(guān)應(yīng)用。 ?VGS = -10V，ID = -11A時，最大rDS(on) = 13mΩ\n?VGS = -4.5V，ID = -9A時，最大rDS(on) = 21.8mΩ\n?擴展了VGS范圍(-25V)，適合電池應(yīng)用\n?HBM ESD保護等級典型值為5.4kV（注3）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體