單 N 溝道邏輯電平 PowerTrench? MOSFET 30V，13A，8mΩ

該N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?13 A, 30 V。\n?RDS(ON) = 8 mΩ @ VGS = 10 V\n?RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? SyncFET?，30V，13.5A，9.0mΩ

FDS6670AS設(shè)計(jì)用于替代同步DC:DC電源中的一個(gè)單SO-8 MOSFET和肖特基二極管。 此30V MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換效率，提供一個(gè)低RDS(ON)和低柵極電荷。 FDS6670AS包含使用飛兆半導(dǎo)體單片SyncFET技術(shù)的集成肖特基二極管。 ?13.5A，30V RDS(on) = 9.0 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 11.5mΩ @ VGS = 4.5V\n?包含SyncFET肖特基體二極管\n?低柵極電荷（27nC典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)和快速開關(guān)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver

Richtek

立锜科技