N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N 溝道，邏輯電平，PowerTrenchTM MOSFET，30V，6.5A，38mΩ

此N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?6.5 A，30 V。 RDS(on) = 0.038 Ω@ VGS = 10 V，RDS(on) = 0.053 Ω @ VGS = 4.5 V\n?低柵極電荷（典型值5 nC）。\n?開關(guān)速度快。\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?高功率和高電流處理能力。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Single-Stage Primary-Side-Regulation PWM Controller

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Single-Stage Primary-Side-Regulation PWM Controller

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

40Amp Schottky Rectifier

文件：145.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

MICROSEMI

美高森美