Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P -Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 8V). Features · –8 A, –20 V. RDS(ON) =

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P 溝道，2.5V 指定，PowerTrench? MOSFET，-20V，-8A，24mΩ

此P溝道2.5V額定MOSFET是采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固柵極版本。 它已針對柵極驅(qū)動電壓范圍(2.5V – 8V)廣泛的功率管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化 ?-8.0 A，-20 V\n?RDS(on) = 24 mΩ @ VGS = -4.5V\n?RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = -2.5V\n?低柵極電荷（26nC，典型值）\n?快速開關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體