Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench? process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 20V). Features ? –7 A, –30 V RDS(ON)= 23 m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲印：4935；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

文件：2.66814 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages

TECHPUBLIC

臺舟電子

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.02651 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

雙 P 溝道，PowerTrench? MOSFET，- 30V，-7A，23mΩ

此P溝道MOSFET是采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固柵極版本。 它已針對廣泛柵極驅(qū)動電壓額定值(4.5V – 20V)的電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。 ?-7A, -30V\n?RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = -10V\n?RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5V\n?低柵極電荷（15nC，典型值）\n?快速開關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體