40V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 20V). Features ? –11 A, –40 V RDS(ON) = 0.013 Ω

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

40V P-Channel Power TrenchMOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?strong>FDS4675；Package：SO-8；40V P-Channel PowerTrench? MOSFET

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V，-11A，13mΩ

此P溝道MOSFET是采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固柵極版本。 它已針對需要大范圍柵極驅(qū)動電壓額定值(4.5V – 20V)的功率管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。 ?-11A，-40 V。\n?RDS(ON) = 0.013 Ω @ VGS = -10 V\n?RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = -4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力;

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40V P-Channel Power TrenchMOSFET

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仙童半導(dǎo)體

P 溝道 PowerTrench? MOSFET -40V，-11A，13mΩ

此 P 溝道 MOSFET 是采用飛兆先進的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固柵極版本。它已針對廣泛柵極驅(qū)動電壓額定值(4.5V – 20V)的電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。 ?–11 A，–40 V，RDS(ON) = 0.013 Ω（VGS = –10 V 時），RDS(ON) = 0.017 Ω（VGS = –4.5 V 時）\n?快速開關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準\n?符合 RoHS 標(biāo)準;

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