絲印：FDS4141；Package：SO-8；P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mΩ

Features Max rDS(on) = 13.0mΩ at VGS = -10V, ID = -10.5A Max rDS(on) = 19.0mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8.4A High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant General Description This P-Channel MOSFET has been produced using On Semiconductor’s proprietary PowerTre

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -10.8A, 13.0m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -10.8A, 19.0m廓

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仙童半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-40V，-10.8A，13.0mΩ

此 P 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體公司專有的 PowerTrench? 技術(shù)生產(chǎn)，能夠提供較低的 rDS(on)和優(yōu)化的 BVDSS性能，從而在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越性能，并提供能夠減少轉(zhuǎn)換器/逆變器應(yīng)用功耗的優(yōu)化開關(guān)性能。 ?最大 rDS(on) = 13.0 mΩ（VGS = -10 V、 ID = -10.5 A）\n?最大 rDS(on) = 19.0 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -8.4 A）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

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P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -10.8A, 19.0m廓

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仙童半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-40V，-10.8A，19.0mΩ

P-Channel PowerTrench? MOSFET -40 V, -10.8 A, 19.0 mΩ ?典型 rDS(on) = 10.5 m? （VGS = -10 V、ID = -10.5 A）\n?VGS = -4.5V，ID = -8.4A時(shí)，典型rDS(on) = 14.8m? \n?VGS = -10V時(shí)，Qg(TOT) = 35nC（典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 AEC Q101;

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