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首頁(yè) >FDS2670>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDS2670	文件：339.53 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features ? 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 130 m? @ VGS = 10 V ? Low gate charge ? Fast switching speed ? 文件：339.53 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDS2670	文件：107.56 Kbytes Page：6 Pages	200V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：107.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDS2670	文件：85.88 Kbytes Page：12 Pages	Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom 文件：85.88 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDS2670	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V N 溝道 PowerTrench? MOSFET 3.0A，130mΩ 此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來(lái)改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計(jì)的。比其他具有可比RDS(ON)規(guī)格的MOSFET相比，這些MOSFET擁有更快的開關(guān)速度和更低的柵極電荷。因此，這是一款更易于驅(qū)動(dòng)且更安全（在高頻段也是如此）的MOSFET，可實(shí)現(xiàn)具有更高總效率的DC/DC電源設(shè)計(jì)。 ?3.0 A，200 V\n?RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V\n?低柵極電荷\n?快速開關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDS2670_01	文件：107.56 Kbytes Page：6 Pages	200V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：107.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
200
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
3
PD Max (W)：
2.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
130
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
27
Ciss Typ (pF)：
1228
Package Type：
SOIC-8

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FDS2670	ONSEMI/安森美	25+	SOP-8	20300	ONSEMI/安森美原裝特價(jià)FDS2670即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FDS2670	FAIRCHILD	04+	SOP8	2500	全新原裝絕對(duì)自己公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多FDS2670供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:14:00

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