500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

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ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

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ISC

無錫固電

N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 6A, 1.15OHM

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，Ultra FRFETTM， 500 V，5A，1.5Ω，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。 UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的體二極管反向恢復(fù)性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 20V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 體二極管性能改進的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠 ?RDS(on) = 1.5? （最大值）@ VGS = 10V, ID = 2.5A\n?低柵極電荷（典型值 12.8nC） \n?低 Crss（典型值 9pF） \n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體