isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

無錫固電

500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，500 V，20A，230 m?，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形和 DMOS 技術。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關性能和更高的雪崩能量強度。 該器件系列適用于開關電源轉換器應用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及照明設備用鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 230m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 10A\n?低柵極電荷（典型值 45.6nC） \n?低 Crss（典型值 27pF） \n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel UniFETTM FRFET? MOSFET 500 V, 20 A, 260 m?

Description UniFET? MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode’s reverse recov

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FAIRCHILD

仙童半導體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：322.57 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

無錫固電

PFCPWM Combination Controller

Introduction This application note describes step-by-step design considerations for a power supply using the FAN480X controller. The FAN480X combines a PFC controller and a PWM controller. The PFC controller employs average current mode control for Continuous Conduction Mode (CCM) boost converter

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FAIRCHILD

仙童半導體

Power Factor Correction Converter Design

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FAIRCHILD

仙童半導體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，F(xiàn)RFET?，500 V，20 A，260 m?，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形和 DMOS 技術。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關性能和更高的雪崩能量強度。 UniFET FRFET? MOSFET 體二極管的反向恢復性能通過壽命控制方式得到加強。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。 該器件系列適用于開關電源轉換器應用，如功 ?RDS(on) = 210m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 10A\n?低柵極電荷（典型值 50nC） \n?低 Crss（典型值 27pF） \n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 處理能力\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，500 V，20A，230 m?，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術和 DMOS 技術。該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關性能和更高的雪崩能量強度。該器件系列適用于開關電源轉換器應用，如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 230m? （典型值）（VGS = 10V，ID = 10A 時）柵極電荷低（典型值：45.6nC)\n?低 Crss（典型值27pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% avalanche tested;

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安森美半導體