N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14廓

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

文件：298.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

無錫固電

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，F(xiàn)RFET?，200 V，18 A，140 mΩ，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。UniFET FRFET?MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)性能通過壽命控制方式得到加強(qiáng)。其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。該器件系列適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正( ?RDS(on) = 120m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A柵極電荷低（典型值：20nC)\n?低 Crss（典型值24pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，F(xiàn)RFET?，200V，18A，140m?，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。UniFET FRFET?MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)性能通過壽命控制方式得到加強(qiáng)。其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。該器件系列適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正( ?RDS(on) = 120m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A柵極電荷低（典型值：20nC)\n?低 Crss（典型值24pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?改進(jìn)了 ESD 防護(hù)能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體