N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1m?

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V，156A，4.1mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計(jì)的。 已針對(duì)低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 ?rDS(ON) = 4.1mΩ @ VGS = 10V，ID=35A\n?rDS(ON) = 4.6mΩ @ VGS = 4.5V，ID=35A\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力\n? RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 156A, 4.1mW

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仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

30 V、156 A、3.4 mΩ、TO-220N 溝道 PowerTrench?

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計(jì)的。 已針對(duì)低柵極電荷、低 rDS(on) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 rDS(ON) = 4.1 m?、VGS = 10 V、ID = 35 A\n rDS(ON) = 4.6m?，VGS = 4.5V，ID = 35A\n 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(ON)\n 低柵極電荷\n 高功率和高電流處理能力\n 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體