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首頁(yè) >FDP5N50>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDP5N50	文件：265.92 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4廓 Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：265.92 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50	文件：270.93 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 文件：270.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4Ω	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDP5N50F	文件：807.91 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55廓 Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：807.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50NZ	文件：332.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.5Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：332.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
FDP5N50NZ	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50U	文件：230.6 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET, FRFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DOMS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high 文件：230.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50_07	文件：270.93 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 文件：270.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50F_12	文件：466.77 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55廓文件：466.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP5N50NZF	文件：272.03 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 4.2A, 1.75廓文件：272.03 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
500
VGS Max (V)：
±25
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
4.5
PD Max (W)：
78
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
9
Ciss Typ (pF)：
330
Package Type：
TO-220-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多FDP5N50供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 22:59:00

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