250V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

絲?。?strong>FDP2710；Package：TO220；Channel PowerTrench? MOSFET 250V, 50A, 47mΩ

General Description This N-Channel MOSFET is produced using ON Semi-conductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features -Typ rDS(on) = 38mΩ at VGS = 10V, ID = 50A -Typ Qg(TOT)

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 250V，50A，42.5mΩ

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 36.3m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 25A\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 250V, 50A, 47m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，250V，50A，47mΩ

這一N溝道 MOSFET 器件采用飛兆的先進(jìn) PowerTrench 工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越的開關(guān)性能而量身定制。 ?典型rDS(on) = 38m? （VGS = 10V, ID = 50A 時）\n?在VGS = 10V時，Qg(TOT) = 78nC（典型值）\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體