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FDP2614	文件：349.21 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：349.21 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP2614	文件：328.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：328.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDP2614	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? MOSFET，200V，62A，27mΩ 該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 22.9m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 31A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
GKN2614	文件：602.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：602.86 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	GENESIC	GENESIC
GKN2614	文件：589.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：589.23 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	GENESIC	GENESIC
GKR2614	文件：589.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：589.43 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	GENESIC	GENESIC

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更多FDP2614供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:10:00