絲印：5630；Package：SOT-23；60V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23 footprint. Fairchild’s PowerTrench technol

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/5630/marking.html">5630；60V N-Channel PowerTrench? MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23 footprint. Fairchild’s PowerTrench technology

文件：231.27 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 60V ● RDS(ON)

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KEXIN

科信電子

絲印：5630；Package：SOT-23；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS ? Battery Switch ? DC/DC Converter

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EVVOSEMI

翊歐

N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信電子

N 溝道，Power Trench? MOSFET，60V，1.7A，100mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計(jì)的。 這款 MOSFET 擁有較小的 SOT23 尺寸，可實(shí)現(xiàn)非常低的 RDS(ON)。 與其他具有同等 RDS(ON)規(guī)格的 MOSFET 相比，利用飛兆的 PowerTrench 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度。 這樣一來，總體效率更高，所需的電路板空間更小。 ?1.7 A、60 V、RDS(ON) = 0.100 Ω（VGS = 10 V）， RDS(ON) = 0.120 Ω（VGS = 6 V）。\n? RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V\n? RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V\n?專門針對高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。\n?低柵極電荷。\n?極快速開關(guān)。\n?SuperSOT? - 3 能夠以 SOT23 尺寸實(shí)現(xiàn)較低的 RDS(ON)。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

場效應(yīng)管

HXY MOSFET

華軒陽電子

N-Channel MOSFET

文件：973.6 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

KEXIN

科信電子

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體