絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/358/marking.html">358；Package：SOT-23；P?CHANNEL MOSFET

Features ? Low gate charge (4 nC typical) ? High performance trench technology for extremely low R DS(ON) . ? High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30 higher power handling capability. ? VDS (V) = -30V ? ID = -1.5 A ? RDS(ON) 90m (VGS = -

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EVVOSEMI

翊歐

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導體

單 P 溝道，邏輯電平，PowerTrench? MOSFET，-30V，-1.5A，125mΩ

此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。 此類器件非常適合便攜式電子應用： 負載開關和功率管理、電池充電電路和DC/DC轉換。 ?-1.5 A，-30 V\n?RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = 10 V\n?RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?低柵極電荷（4nC，典型值）\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率版本的工業(yè)標準SOT-23封裝。 相同的SOT-23引腳，可將功率處理能力提高30%。;

ONSEMI

安森美半導體

FLM358 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER AND VOLTAGE REFERENCE

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FCI

富加宜

SEVEN SEGMENT DISPLAYS

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QT

GROUP DELAY PRE-CORRECTION

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FARADAY

Faraday Technology