Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suit

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/wt1x/marking.html">WT1X；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Product Summary Vbss= -20V, Ip=-2.8A RDS(on) 80m [email protected]( Typ) [email protected] (Typ ) - High Power and current handing capability - Lead free product is acquired - Surface Mount Package

文件：1.50401 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages

TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/a1/marking.html">A1*；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET

文件：131.039 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

KEXIN

科信電子

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：77.87 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：77.87 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件：1.039819 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

雙P溝道邏輯電平PowerTrench? MOSFET

此P溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的。 此類器件非常適合便攜式電子應(yīng)用： 負(fù)載開關(guān)和功率管理、電池充電電路和DC/DC轉(zhuǎn)換。 ?-1.3 A、-20 V。\n?RDS(ON) = 0.20Ω @ VGS= -4.5 V\n?RDS(ON) = 0.27 Ω @ VGS = -2.5 V\n?低柵極電荷（3.6 nC，典型值）。\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?SuperSOT? -3提供低RDS(ON)，在相同尺寸下功率處理能力比SOT23高30%;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MOSFET

JGSEMI

金鋯半導(dǎo)體

場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

Techpublic

臺(tái)舟電子