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首頁(yè) >FDN335>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDN335	文件：210.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features ? 1.7 A, 20 V. 文件：210.05 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDN335	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDN335N	文件：384.89 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ● TrenchFET Power MOSFET ● Supper high density cell design 文件：384.89 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
FDN335N	文件：351.96 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ● TrenchFET Power MOSFET ● Supper high density cell design APPLICATION ※ Battery protection ※ Load switch ※ Battery management 文件：351.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
FDN335N	文件：210.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features ? 1.7 A, 20 V. 文件：210.05 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDN335N	文件：1.91096 Mbytes Page：4 Pages	20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V? RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 1.7A= 70m? RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 1.5A=100m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 文件：1.91096 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體	HTSEMI
FDN335N-NL	文件：1.884 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.884 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
FDN335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel MOSFET	Plingsemic 鵬領(lǐng)半導(dǎo)體	Plingsemic
FDN335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	場(chǎng)效應(yīng)管	HXY MOSFET 華軒陽(yáng)電子	HXY MOSFET

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
1.7
PD Max (W)：
0.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
100
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
70
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.5
Ciss Typ (pF)：
310
Package Type：
SOT-23-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市益百分電子有限公司	FDN335	國(guó)產(chǎn)MOS	2010	SOT-23	50000	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	FDN335	FAIRCHILD	2015+	SOT-23	28989	專業(yè)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	FDN335	FSC	2016+	SOT23	6532	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	FDN335	FAIRCHILD/仙童	24+	SOT-23	33000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	FDN335	Fairchild(飛兆/仙童)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	FDN335	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-23	9000	原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票!	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FDN335	仙童	1912	SOT-23	6500	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FDN335	RUIMEIKE/瑞美科	23+		3000000		詢價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	FDN335	國(guó)產(chǎn)MOS	23+	SOT-23	20547	##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)
深圳市誠(chéng)利順電子科技有限公司	FDN335	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-23	9000	十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！	詢價(jià)

更多FDN335供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-17 20:25:00

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