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|---|---|---|---|---|
FDMT80060DC | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/80060/marking.html">80060;Package:TDFNW8;N-Channel Power MOSFET General Description This N?Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced POWERTRENCH process. Advancements in both silicon and DUAL COOL package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction?to?Ambi 文件:525.82 Kbytes 頁數(shù):9 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | |
FDMT80060DC | N 溝道,雙 CoolTM 88 PowerTrench? MOSFET,60V, 292A,1.1mΩ 此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。 先進(jìn)的硅技術(shù)和 Dual CoolTM 封裝技術(shù)完美融合,可在提供最小 rDS(on) 的同時(shí)通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 ? 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ(VGS = 10 V、ID = 43 A)\n? 最大 rDS(on) = 1.3 mΩ(VGS = 8 V、ID = 37 A)\n? 低 rDS(on)和高效的先進(jìn)硅封裝\n?下一代先進(jìn)體二極管技術(shù),專為軟恢復(fù)設(shè)計(jì)\n?薄型 8x8mm MLP 封裝\n?MSL1 強(qiáng)健封裝設(shè)計(jì)\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn); | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | |
Silicon Power Schottky Diode 文件:331.41 Kbytes 頁數(shù):3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
Silicon Power Schottky Diode 文件:331.41 Kbytes 頁數(shù):3 Pages | GENESIC | GENESIC |
技術(shù)參數(shù)
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Channel Polarity:
N-Channel
- Configuration:
Single
- V(BR)DSS Min (V):
60
- VGS Max (V):
±20
- VGS(th) Max (V):
4
- ID Max (A):
292
- PD Max (W):
156
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):
1.1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):
137
- Ciss Typ (pF):
14406
- Package Type:
PQFN-8
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
DFNW-8 |
20300 |
ONSEMI/安森美原裝特價(jià)FDMT80060DC即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
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ON/安森美 |
20+ |
PQFN-8 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
Dual Cool88-8 |
10795 |
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三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
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Dual Cool88-8 |
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DFN-8 |
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20094 |
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