N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，160A，2.0mΩ

此N溝道MOSFET使用同步或傳統(tǒng)的開關(guān)PWM控制器，專為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率并最大限度降低其開關(guān)節(jié)點振鈴噪聲而設(shè)計。 已經(jīng)針對低柵極電荷、低rDS(on)、快速開關(guān)速度和軟體二極管反向恢復(fù)性能進行了優(yōu)化。 ?最大值 rDS(on) = 2.0 mΩ（VGS = 10 V, ID = 28 A）\n?最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 25 A）\n?先進的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?新一代的增強型體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)而設(shè)計\n?MSL1耐用封裝設(shè)計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 116 A, 2.0 m廓

文件：273.05 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：707.35 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FORTUNE

富晶電子

One Cell Lithium-ion/Polymer Battery Protection IC With Built-in MOSFET

文件：1.038609 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages

FORTUNE

富晶電子

One Cell Lithium-ion/Polymer Battery Protection IC With Built-in MOSFET

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FORTUNE

富晶電子