N 溝道，PowerTrench? MOSFET，80V，130A，2.4mΩ

這款 N 溝道 MOSFET 器件采用飛兆的高級(jí) Power Trench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持卓越的開(kāi)關(guān)性能而量身定制。 ?最大 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A 時(shí)）\n?最大 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A 時(shí)）\n?先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了低 rDS(on)和高效率\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：253.09 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，80V，198A，2.4mΩ

這一 N 溝道 MOSFET 器件采用飛兆的高級(jí) PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越的開(kāi)關(guān)性能而量身定制。 ? 擴(kuò)展額定 TJ 至 175°C\n? 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A）\n? 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A）\n? 低 rDS(on)和高效的先進(jìn)硅封裝\n? MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n? 100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\";

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Bayonet coupling mechanism provides quick

文件：11.45591 Mbytes 頁(yè)數(shù)：30 Pages

AMPHENOL

安費(fèi)諾