絲?。?strong>FDMS86255；Package：PQFN8；MOSFET ??N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 150 V，45A，12.4mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進 PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ?屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A時）\n? 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A時）\n? 低 rDS(on)和高效的先進硅封裝組合\n?下一代先進體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement MOSFET

Application | ? Load switch ? High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate ? DC/DC Power Supplies

文件：3.32338 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

TECHPUBLIC

臺舟電子

N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 150 V，63 A，12.4mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進 PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ?擴展額定 TJ 至 175°C\n?屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）\n? 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）\n? 低 rDS(on)和高效的先進硅封裝\n?下一代先進體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體