N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 49 A, 18 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，Power Trench? MOSFET，150V，35A，18mΩ

這款 N 溝道 MOSFET 器件采用飛兆的高級(jí) Power Trench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持卓越的開關(guān)性能而量身定制。 ?柵極屏蔽 MOSFET 技術(shù)\n?VGS = 10V，ID = 9.6A時(shí)，最大rDS(on) = 18mΩ\n?VGS = 6V，ID = 8.8A時(shí)，最大rDS(on) = 21mΩ\n?先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)完美融合，實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH? MOSFETs

Dual Cool? packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ?exibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

文件：1.16337 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement MOSFET

Application ? Load switch | ? High Frequency Switching and ~~ Synchronous Rectification ? Active Clamp in Intermediate ~~ o DC/DC Power Supplies

文件：3.32421 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

N 溝道雙 CoolTM 56 屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 150V，40A，17mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，該工藝融入了柵極屏蔽技術(shù)。先進(jìn)的硅技術(shù)和 Dual Cool? 封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同時(shí)通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 ?柵極屏蔽 MOSFET 技術(shù)\n?Dual Cool?頂側(cè)冷卻PQFN封裝\n?最大值rDS(on) = 17 mΩ（在VGS = 10 V, ID = 9.3 A時(shí)）\n?最大值rDS(on) = 25 mΩ（在VGS = 6 V, ID = 7.8 A時(shí)）\n?通態(tài)電阻 rDS(on)極低的高性能技術(shù)\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：FET 150V 18.0 MOHM PQFN56

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體