N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，80A，4.85mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體公司先進的 Power Trench? 工藝生產(chǎn)，經(jīng)過專門設計，能夠最大限度地減少通態(tài)電阻，并同時保持卓越的開關性能。 ?柵極屏蔽 MOSFET 技術\n?VGS = 10V，ID = 16 A時，最大rDS(on) = 4.85mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 13 A時，最大rDS(on) = 7.8mΩ\n?先進的封裝技術和硅技術相結(jié)合，實現(xiàn)了低 rDS(on) 和高效率\n?MSL1 耐用封裝設計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合 RoHS 標準;

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N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 60 A, 4.85 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel Shielded Gate PowerTrench??MOSFET 100V, 80A, 4.85mΩ

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench??process thant hasbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. ? Shielded Gate MOSFET Technology\n? Max rDS(on) = 4.85 mΩ at VGS = 10 V, ID = 16 A\n? Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n? MSL1 robust package design\n? 100% UIL tested\n? RoHS Compliant;

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N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 100 V，128A，4.85mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體的先進 PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導通電阻，卻仍保持卓越的開關性能。 ?擴展額定 TJ 至 175°C \n?柵極屏蔽 MOSFET 技術\n?VGS = 10V，ID = 16 A時，最大rDS(on) = 4.85mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 13 A時，最大rDS(on) = 7.8mΩ\n?先進的封裝技術和硅技術相結(jié)合，實現(xiàn)了低 rDS(on) 和高效率\n?MSL1 耐用封裝設計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合 RoHS 標準;

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