N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，16A，24mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ? Shielded Gate MOSFT Technology\n?VGS = 10 V，ID = 7 A時，最大rDS(on) = 24 mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 5.5 A時，最大rDS(on) = 39 mΩ\n?先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)完美融合，實現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?MSL1耐用封裝設(shè)計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 16 A, 24 m廓

文件：257.209 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

168bytes RAM 8-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTER

文件：1.41832 Mbytes 頁數(shù)：61 Pages

SANYO

三洋

On-chip 168 Bytes RAM 8-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTER?

Liquid Crystal Display Controller/Driver, On-chip 8K Bytes ROM and On-chip 168 Bytes RAM 8-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTER

文件：1.5617 Mbytes 頁數(shù)：67 Pages

SANYO

三洋