N-Channel PowerTrench? SyncFETTM 25 V, 60 A, 2.8 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH? MOSFETs

Dual Cool? packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ?exibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

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FAIRCHILD

仙童半導體

25V N溝道PowerTrench? SyncFET?

此N溝道SyncFET? 采用飛兆半導體先進的PowerTrench?工藝生產(chǎn)。先進的硅技術和封裝技術完美融合，可在提供最小RDS(on)的同時通過極低的結至環(huán)境熱阻保持卓越的開關性能。 該器件可被額外作為一個有效的單片肖特基體二極管使用。 在VGS = 10 V且ID = 28 A時，最大值RDS(on) = 2.8 mΩ\n在VGS = 4.5 V且ID = 25 A時，最大值RDS(on) = 3.3 mΩ\n高性能技術可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\nSyncFET? 肖特基體二極管\n符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

25V N溝道PowerTrench? SyncFET?

此N溝道SyncFET? 采用飛兆半導體先進的PowerTrench?工藝生產(chǎn)。先進的硅技術和封裝技術完美融合，可在提供最小RDS(on)的同時通過極低的結至環(huán)境熱阻保持卓越的開關性能。 該器件可被額外作為一個有效的單片肖特基體二極管使用。 Dual Cool? PQFN封裝\n在VGS = 10 V且ID = 28 A時，最大值RDS(on) = 2.8 mΩ\n在VGS = 4.5 V且ID = 25 A時，最大值RDS(on) = 3.3 mΩ\n高性能技術可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\nSyncFET? 肖特基體二極管\n符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體