N-Channel PowerTrench? SyncFETTM

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? SyncFETTM 25 V, 90 A, 1.5 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? SyncFET? MOSFET，25V，90A，1.5mΩ

此N溝道SyncFET? 采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench?工藝生產(chǎn)。 先進的硅技術(shù)和封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小rDS(on)的同時通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 該器件具有高效單片肖特基體二極管的新增優(yōu)點。 ? Dual Cool? PQFN package\n?VGS = 10 V，ID = 33 A時，最大rDS(on) = 1.5mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 31 A時，最大rDS(on) = 1.7 mΩ\n?高性能技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?SyncFET? 肖特基體二極管\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

25V N溝道PowerTrench? SyncFET?

此 N 溝道 SyncFET? 采用飛兆半導(dǎo)體先進的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)。 先進的硅技術(shù)和封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同時通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 該器件具有高效單片肖特基體二極管的新增優(yōu)點。 Dual Cool? PQFN package\nMax rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 38 A\nMax rDS(on) = 1.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 36 A\nHigh performance technology for extremely low rDS(on)\nSyncFET? Schottky Body Diode\nRoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體